半導体パッケージ用無機コア基板

半導体パッケージ用無機コア基板
次世代半導体パッケージに適した無機コア基板

CO2レーザーを用いた微細貫通穴(ビア)加工を推進
高性能・高密度パッケージのコア基板として期待されている無機コア基板です。当社は汎用的なCO2レーザーによる微細貫通穴(ビア)加工を用いたガラスコア基板およびガラスセラミック基板「GCコア」の提供を進めています。

無機コア基板とは

  • 無機コア基板は、半導体チップと外部回路を接続する有機基板を無機の素材に置き換えたものです。従来のガラスエポキシ基板等の有機材料ベースの基板と比較して、優れた電気的特性、剛性、平坦性といった特長を有します。当社はガラスセラミックスコア基板GCコアおよびガラスコア基板の提供を進めています。
  有機コア基板 無機コア基板
電気的特性 劣る 優れる
剛性 低い 高い
平坦性 劣る 優れる

当社無機コア基板の強み

  • 汎用CO2レーザーを用いた微細貫通穴(ビア)加工
    無機コア基板ではクラックを避けるためレーザー改質とエッチングを用いて穴加工をする方法が採用されています。この方法は、工程が多くなり、加工に時間がかかる場合があります。一般的に広く普及しているCO2レーザー加工機による穴加工に取り組むことで、工程削減と量産時の安定供給に貢献します。
  • 熱設計を考慮したコア基板の選定
    半導体パッケージの熱設計は、信頼性の向上において重要な要素になっています。当社ではガラスセラミックスコア基板に加え、ガラスコア基板の提供を進めていくことで、ニーズに合わせた熱膨張係数を持つコア基板を提案することができます。
  • 素材選定~加工の経験と実績
    半導体産業に関わる構成部材や工程内で用いる部材を継続的に供給しています。ニーズに合わせた誘電特性を持つコア基板を素材の選定から提案することができます。
無機コア基板の適用箇所
    ガラスセラミックスコア基板GCコア の微細貫通穴(ビア)と断面画像
    ガラスコア基板 SEM像の微細貫通穴(ビア)と断面画像

ガラスセラミックスコア基板GCコア

  • ガラスとセラミックスの組成と配合比を変えることで、誘電特性、熱膨張係数、強度などの特性を持たせたコア基板です。
  • 特長
    「低誘電率、高膨張、高強度」。それぞれのニーズに合わせたコア基板を提供できます。 
タイプ 低誘電率タイプ 高膨張タイプ 高強度タイプ
製品コード GCC-1 GCC-2 GCC-3
誘電正接 2.45GHz 0.0013 0.0002 0.0004
40GHz 0.0016 0.0004 0.0007
比誘電率 2.45GHz 3.9 7.0 7.9
40GHz 3.8 6.8 7.6
熱膨張係数(ppm/℃) 6.1 8.9 7.4
曲げ強度(MPa) 150 260 340

ガラスコア基板

ガラスエポキシ基板等の有機材料ベースの基板と比較して、平坦性・平滑性・剛性に優れており、大型化に対応できるコア基板です。期待される効果を実現するために、開発に取り組んでおります。

期待される効果

  • 生産性の向上
    ・CO2レーザーの適用による工程削減と設備投資の抑制
    ・大型コア基板の提供
  • 優れた信頼性
    ・高温・高湿度下での寸法変化や反りの減少
    ・微細配線や高密度実装への適用

お問い合わせ時の製品名は、「半導体用サポートガラス」をプルダウンから選び、ご入力ください。

イベント情報

以下の展示会に出展予定です。

第39回 ネプコン ジャパン

会期:1月22日(水)~24日(金) 会場:東京ビックサイト

製品の詳細については、下記よりお問い合わせください。

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