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高い平坦性と剛性、細かいピッチでの微細貫通穴（ビア）加工を実現

従来のガラスエポキシ基板は表面平坦性に劣り、剛性も低いため、細かいピッチでの微細貫通穴（ビア）の加工が困難でした。一方、GCコア™は極めて高い平坦性と剛性を誇り、レーザー加工で微細かつクラックのない高精度な貫通穴を実現します。これは、高密度実装や高速伝送が求められるハイエンドな半導体デバイスに最適です。

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CO₂ レーザー加工機で穴あけが可能

コア基板には、表裏に形成された微細な金属配線を電気的に接続するため、微細貫通穴（ビア）を形成する必要があります。

割れない＆高速加工

一般的なガラス基板の場合、CO₂レーザーにより穴を開けると、一定の割合でクラック（割れ目）が入り、基板の破損につながる恐れがあります。GCコア™は、セラミックスの特性も有しているため、高速でクラックレスの穴開け加工が可能です。

経済的＆量産コスト低減の期待

一般的なガラス基板の場合、クラックを避けるためレーザー改質とエッチングを用いて穴加工する方法が一般的ですが、この方法は技術的難易度が高く加工に時間が掛かるほか、設備投資が必要になります。GCコア™は、一般に広く普及しているCO₂レーザー加工機で穴加工ができるため経済的で、量産コストの低減が期待できます。

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低い誘電率と誘電正接

ガラスセラミックスには、当社が独自に開発したLTCC 材料（低温同時焼成セラミックス）を使用しており、誘電率・誘電正接が低く、信号の遅延や誘電損失の低減を実現しています。

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薄型化・軽量化に貢献

GCコア™は、ガラス基板と比べて強度が高いため、基板を薄くすることができ、半導体の薄型化に貢献します。また、割れにくいため半導体パッケージの生産プロセスにおけるハンドリング性が向上します。

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ニーズ合わせた仕様変更が容易

GC コア™は、ガラスとセラミックスの組成と配合比を変えることにより、ニーズに合わせた特性を実現できます。誘電特性に優れた低誘電率タイプ以外にも、樹脂基板の熱膨張に合わせた高膨張タイプ、強度に優れた高強度タイプなど幅広い用途に対応できる基板の開発を可能にします。